华羿微代理商 HYG090N04LS1C2 N沟道增强型MOSFET

发布日期：2024-12-21 13:02 点击次数：90

特征：

40V/58A

RDS(ON)= 6.3mΩ(typ.)@VGS = 10V

RDS(ON)= 9.5mΩ(typ.)@VGS = 4.5V

100% 经过雪崩测试

100% DVDS

可靠且坚固

无卤素和绿色设备可用（符合RoHS标准）

应用：

开关应用

锂离子电池保护器

DC-DC

电机控制器

发布于：广东省